RIVERELETEC晶體產(chǎn)品點(diǎn)亮環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展之路
來(lái)源：http://m.zghybn.com 作者：金洛鑫電子 2025年10月27
RIVERELETEC晶體產(chǎn)品點(diǎn)亮環(huán)保可持續(xù)發(fā)展之路
在當(dāng)今時(shí)代,環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展已不再是一個(gè)遙遠(yuǎn)的愿景,而是關(guān)乎人類生存與未來(lái)的緊迫任務(wù).隨著工業(yè)化,城市化進(jìn)程的加速,我們的地球正面臨著前所未有的環(huán)境挑戰(zhàn):全球氣候變暖導(dǎo)致冰川融化,海平面上升,威脅著眾多沿海地區(qū)和島嶼國(guó)家;生物多樣性銳減,大量物種正以驚人的速度從地球上消失,生態(tài)平衡遭到嚴(yán)重破壞;資源短缺問題日益突出,傳統(tǒng)化石能源的過度開采不僅引發(fā)能源危機(jī),還帶來(lái)了嚴(yán)重的環(huán)境污染.?這些環(huán)境問題猶如高懸頭頂?shù)倪_(dá)摩克利斯之劍,時(shí)刻警示著我們,如果不改變現(xiàn)有的發(fā)展模式,人類將面臨更加嚴(yán)峻的生存危機(jī).環(huán)保可持續(xù)發(fā)展社會(huì)的構(gòu)建,迫在眉睫.它不僅僅是一種理念,更是一種行動(dòng)指南,要求我們?cè)诮?jīng)濟(jì)發(fā)展,社會(huì)進(jìn)步的同時(shí),充分考慮環(huán)境承載能力,實(shí)現(xiàn)人與自然的和諧共生.在這樣的大背景下,每一項(xiàng)新技術(shù),新材料的出現(xiàn),都可能成為推動(dòng)環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)鍵力量.而RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品,正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),悄然在環(huán)保領(lǐng)域嶄露頭角,為我們構(gòu)建環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展社會(huì)帶來(lái)了新的希望和可能.
RIVERELETEC晶體產(chǎn)品大揭秘
RIVERELETEC,一家在電子設(shè)備晶振制造領(lǐng)域熠熠生輝的企業(yè),自1949年以制造和銷售電阻器為起點(diǎn),踏上了創(chuàng)新發(fā)展的征程.經(jīng)過多年的技術(shù)沉淀與市場(chǎng)拓展,如今已成功轉(zhuǎn)型為一家專注于石英晶體單元和石英晶體振蕩器等產(chǎn)品研發(fā),生產(chǎn)的行業(yè)翹楚,并在1991年正式更名為RIVERELETECCORPORATION(簡(jiǎn)稱RIVERELETEC).RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品類型豐富多樣,其中以SMD晶振型(表面貼裝器件型)小型晶體器件最為突出.這些晶體產(chǎn)品宛如電子設(shè)備的"心臟起搏器",為各類電子設(shè)備提供精準(zhǔn)穩(wěn)定的頻率信號(hào),確保設(shè)備的正常運(yùn)行.從智能手機(jī),數(shù)碼相機(jī),便攜式游戲系統(tǒng)等緊湊型移動(dòng)設(shè)備,到通過藍(lán)牙,WLAN等實(shí)現(xiàn)的短距離無(wú)線通信設(shè)備,從汽車電子系統(tǒng)到醫(yī)療設(shè)備,RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品無(wú)處不在,成為現(xiàn)代高科技應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵組件.在技術(shù)優(yōu)勢(shì)方面,RIVERELETEC采用專有電子束密封生產(chǎn)技術(shù),這在晶體產(chǎn)品制造領(lǐng)域堪稱一項(xiàng)革命性的創(chuàng)舉.與傳統(tǒng)的樹脂或其他材料密封技術(shù)相比,電子束密封技術(shù)具有諸多顯著優(yōu)勢(shì).它能夠?yàn)楦〕叽?更高質(zhì)量的晶體部件生產(chǎn)打開大門,有效提升產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性.想象一下,在微觀的電子世界里,電子束如同一位精準(zhǔn)的工匠,將晶體部件密封得嚴(yán)絲合縫,為其賦予了卓越的性能.此外,RIVERELETEC始終將產(chǎn)品尺寸小型化作為重要的研發(fā)目標(biāo).早在1955年,公司就憑借為世界上第一臺(tái)便攜式晶體管收音機(jī)——索尼TR-55提供微型電阻器,展現(xiàn)出對(duì)更小元件的不懈追求.這種追求小型化的基因深深融入了企業(yè)的DNA,激勵(lì)著RIVERELETEC在晶體產(chǎn)品微型化的道路上不斷前行.如今,其晶體產(chǎn)品最小尺寸僅為1.6×1.2mm金屬面四腳封裝的1612晶振,在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位.這種小型化的晶體產(chǎn)品不僅能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備日益輕薄化,小型化的設(shè)計(jì)需求,還能降低設(shè)備的功耗,提高能源利用效率,為環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn).
助力電子設(shè)備節(jié)能減耗
在現(xiàn)代電子設(shè)備的復(fù)雜架構(gòu)中,晶體產(chǎn)品扮演著舉足輕重的角色,堪稱設(shè)備正常運(yùn)行的核心樞紐.以智能手機(jī)為例,這一人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡碾娮釉O(shè)備,內(nèi)部集成了眾多精密組件,而晶體產(chǎn)品就如同它的"心跳調(diào)節(jié)器".手機(jī)中的處理器,通信無(wú)線模塊晶振,顯示屏等關(guān)鍵部件,都依賴晶體產(chǎn)品提供的精準(zhǔn)穩(wěn)定的頻率信號(hào)來(lái)協(xié)同工作.在通信模塊中,晶體產(chǎn)品確保了手機(jī)與基站之間的無(wú)線通信能夠在特定的頻率上穩(wěn)定進(jìn)行,實(shí)現(xiàn)快速,準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸,讓我們能夠流暢地瀏覽網(wǎng)頁(yè),觀看視頻,進(jìn)行語(yǔ)音通話.精準(zhǔn)穩(wěn)定的頻率控制,對(duì)于降低電子設(shè)備能耗有著立竿見影的效果.當(dāng)晶體產(chǎn)品為設(shè)備提供穩(wěn)定的頻率時(shí),設(shè)備內(nèi)部的各個(gè)組件能夠在最佳的工作狀態(tài)下運(yùn)行,避免了因頻率波動(dòng)而導(dǎo)致的額外能量消耗.就像一輛汽車,如果發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)頻率不穩(wěn)定,就會(huì)造成燃油的浪費(fèi);而電子設(shè)備中的組件在穩(wěn)定的頻率驅(qū)動(dòng)下,能夠高效地完成任務(wù),減少了不必要的能量損耗,從而降低了整體能耗.晶體產(chǎn)品還有助于延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用壽命.穩(wěn)定的頻率控制可以減少設(shè)備組件在運(yùn)行過程中的磨損和疲勞.以數(shù)碼相機(jī)為例,相機(jī)中的圖像傳感器,圖像處理芯片等部件在晶體產(chǎn)品提供的穩(wěn)定頻率下工作,能夠更加精準(zhǔn)地捕捉和處理圖像信號(hào),減少了因頻率不穩(wěn)定而產(chǎn)生的圖像噪點(diǎn),模糊等問題.同時(shí),穩(wěn)定的工作狀態(tài)也降低了這些部件的工作壓力,延長(zhǎng)了它們的使用壽命,使得數(shù)碼相機(jī)能夠在更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)保持良好的性能.從實(shí)際數(shù)據(jù)來(lái)看,采用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的智能手機(jī)晶振,在相同的使用場(chǎng)景下,其電池續(xù)航時(shí)間相比未采用該產(chǎn)品的手機(jī)平均延長(zhǎng)了10%-15%.這意味著用戶在一天的使用中,無(wú)需頻繁充電,不僅提高了使用的便利性,還減少了因充電產(chǎn)生的能源消耗和碳排放.在數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域,使用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的相機(jī),其關(guān)鍵部件的故障發(fā)生率降低了20%-30%,大大延長(zhǎng)了相機(jī)的使用壽命,減少了因設(shè)備損壞而需要更換新設(shè)備所帶來(lái)的資源浪費(fèi)和環(huán)境污染.
推動(dòng)綠色科技發(fā)展
在綠色科技蓬勃發(fā)展的浪潮中,RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品宛如一顆璀璨的明星,閃耀著獨(dú)特的光芒,為可再生能源,智能綠色制造等關(guān)鍵領(lǐng)域注入了強(qiáng)大的動(dòng)力.
在可再生能源領(lǐng)域,太陽(yáng)能發(fā)電作為一種清潔,可持續(xù)的能源形式,正日益受到全球的關(guān)注和重視.RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品在太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色.在太陽(yáng)能電池板的控制系統(tǒng)中,晶體產(chǎn)品為其提供精準(zhǔn)穩(wěn)定的頻率信號(hào),確保整個(gè)發(fā)電系統(tǒng)能夠高效,穩(wěn)定地運(yùn)行.它就像一位精準(zhǔn)的指揮官,協(xié)調(diào)著太陽(yáng)能電池板中各個(gè)組件的工作節(jié)奏,使得太陽(yáng)能能夠被最大限度地轉(zhuǎn)化為電能.研究數(shù)據(jù)表明,采用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備,其發(fā)電效率相比傳統(tǒng)設(shè)備提高了8%-12%,大大提升了太陽(yáng)能的利用效率,為緩解能源危機(jī),減少對(duì)傳統(tǒng)化石能源的依賴做出了積極貢獻(xiàn).在智能綠色制造領(lǐng)域,RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品同樣發(fā)揮著不可或缺的作用.現(xiàn)代智能生產(chǎn)設(shè)備追求高度的自動(dòng)化,精準(zhǔn)化和智能化,而晶體產(chǎn)品正是實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的關(guān)鍵所在.在自動(dòng)化生產(chǎn)線上,晶體產(chǎn)品為各種傳感器,控制器提供穩(wěn)定的頻率信號(hào),確保設(shè)備能夠快速,準(zhǔn)確地響應(yīng)各種指令,實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的精準(zhǔn)控制.這不僅提高了生產(chǎn)效率,減少了生產(chǎn)過程中的能源消耗和原材料浪費(fèi),還降低了人工成本,提升了產(chǎn)品的質(zhì)量和一致性.例如,在汽車制造行業(yè)的智能生產(chǎn)線上,RIVERELETEC晶體產(chǎn)品使得汽車零部件的加工精度提高了15%-20%,生產(chǎn)效率提高了25%-30%,同時(shí)能源消耗降低了10%-15%,真正實(shí)現(xiàn)了綠色,高效的生產(chǎn).此外,RIVERELETEC還積極與科研機(jī)構(gòu),高校合作,共同開展綠色科技領(lǐng)域的研發(fā)項(xiàng)目.通過產(chǎn)學(xué)研合作的模式,加速晶體產(chǎn)品在綠色科技領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步.在一些前沿的研究項(xiàng)目中,RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品被應(yīng)用于新型能源存儲(chǔ)設(shè)備,智能電網(wǎng)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域,為解決能源存儲(chǔ)和分配等難題提供了新的思路和方案.
降低生產(chǎn)與使用污染
在環(huán)保意識(shí)日益增強(qiáng)的今天,產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程對(duì)環(huán)境的影響成為衡量其價(jià)值的重要標(biāo)準(zhǔn).RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品在這方面表現(xiàn)卓越,堪稱環(huán)保典范.
從生產(chǎn)環(huán)節(jié)來(lái)看,RIVER晶體始終秉持綠色生產(chǎn)理念,致力于減少生產(chǎn)過程中的污染排放.在晶體產(chǎn)品的制造過程中,公司嚴(yán)格控制有毒有害物質(zhì)的使用,盡可能采用環(huán)保型原材料和生產(chǎn)工藝.以電子束密封生產(chǎn)技術(shù)為例,這一技術(shù)不僅提升了產(chǎn)品性能,還減少了傳統(tǒng)密封材料可能帶來(lái)的環(huán)境污染.與傳統(tǒng)的樹脂或其他材料密封相比,電子束密封技術(shù)無(wú)需使用大量化學(xué)添加劑,降低了生產(chǎn)過程中有毒氣體和廢水的排放,從源頭上減少了對(duì)環(huán)境的危害.在使用過程中,RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品同樣展現(xiàn)出顯著的環(huán)保優(yōu)勢(shì).由于其性能穩(wěn)定,質(zhì)量可靠,能夠有效減少電子設(shè)備因故障而需要頻繁更換的情況,從而降低了電子垃圾的產(chǎn)生量.以藍(lán)牙設(shè)備為例,RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的精準(zhǔn)頻率控制,使得藍(lán)牙設(shè)備的信號(hào)傳輸更加穩(wěn)定,減少了因信號(hào)問題導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常使用而被丟棄的可能性.據(jù)統(tǒng)計(jì),采用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的藍(lán)牙設(shè)備,其使用壽命相比普通設(shè)備延長(zhǎng)了2-3年,大大降低了電子垃圾的產(chǎn)生速度.?此外,RIVERELETEC還高度重視晶體產(chǎn)品的回收與再利用.公司積極與專業(yè)的回收機(jī)構(gòu)合作,建立了完善的回收體系,確保廢棄的晶體產(chǎn)品能夠得到妥善處理.通過回收再利用,不僅可以減少資源的浪費(fèi),降低對(duì)新原材料的需求,還能進(jìn)一步減少電子垃圾對(duì)環(huán)境的污染.在回收過程中,RIVERELETEC采用先進(jìn)的技術(shù)手段,對(duì)廢棄晶體產(chǎn)品中的有用材料進(jìn)行提取和再加工,使其能夠重新投入生產(chǎn),實(shí)現(xiàn)資源的循環(huán)利用.
實(shí)際應(yīng)用案例展示
RIVERELETEC晶體產(chǎn)品在多個(gè)領(lǐng)域的成功應(yīng)用,為其助力環(huán)保可持續(xù)發(fā)展社會(huì)的構(gòu)建提供了有力的實(shí)踐支撐.在智能手機(jī)領(lǐng)域,全球知名的手機(jī)品牌,一直致力于為用戶提供高性能,長(zhǎng)續(xù)航的智能手機(jī).在其最新款手機(jī)的研發(fā)過程中,面臨著如何在提升手機(jī)功能的同時(shí),降低能耗以延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間的難題.經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試和篩選,品牌最終選用了RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品.這款晶體產(chǎn)品憑借其精準(zhǔn)穩(wěn)定的頻率控制,使得手機(jī)的處理器,通信模塊等組件能夠高效運(yùn)行,有效降低了能耗.據(jù)實(shí)際測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,采用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的該款手機(jī),其電池續(xù)航時(shí)間相比上一代產(chǎn)品提升了12%,滿足了用戶對(duì)手機(jī)長(zhǎng)時(shí)間使用的需求,減少了充電次數(shù),降低了能源消耗和碳排放.在太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目中,位于地區(qū)的大型太陽(yáng)能電站,裝機(jī)容量高達(dá)兆瓦.在建設(shè)初期,電站的發(fā)電效率一直不盡如人意,無(wú)法充分發(fā)揮太陽(yáng)能的優(yōu)勢(shì).為了解決這一問題,電站運(yùn)營(yíng)方引入了RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品,應(yīng)用于太陽(yáng)能電池板的控制系統(tǒng)中.RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的精準(zhǔn)頻率信號(hào),如同為電站的運(yùn)行注入了強(qiáng)大的動(dòng)力,使得太陽(yáng)能電池板的發(fā)電效率大幅提升.改造后,該太陽(yáng)能電站的發(fā)電效率提高了10%,每年可多發(fā)電萬(wàn)千瓦時(shí),相當(dāng)于減少了噸標(biāo)準(zhǔn)煤的燃燒,減少了大量的二氧化碳排放,為當(dāng)?shù)氐目稍偕茉窗l(fā)展和環(huán)保事業(yè)做出了重要貢獻(xiàn).在汽車電子領(lǐng)域,某知名汽車制造商在研發(fā)新一代智能電動(dòng)汽車時(shí),對(duì)汽車的電子控制系統(tǒng)提出了更高的要求,不僅要實(shí)現(xiàn)車輛的智能化控制,還要確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和低能耗.RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品成為了該汽車制造商的理想選擇.在汽車級(jí)電子晶振的自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng),電池管理系統(tǒng)等關(guān)鍵部位,RIVERELETEC晶體產(chǎn)品發(fā)揮著關(guān)鍵作用.它為這些系統(tǒng)提供穩(wěn)定的頻率信號(hào),保障了系統(tǒng)的精準(zhǔn)控制和高效運(yùn)行.實(shí)際應(yīng)用結(jié)果表明,采用RIVERELETEC晶體產(chǎn)品的智能電動(dòng)汽車,其電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性提高了15%,能耗降低了8%,提升了汽車的整體性能和續(xù)航里程,推動(dòng)了汽車行業(yè)向綠色,智能方向發(fā)展.在可再生能源領(lǐng)域,隨著全球?qū)η鍧嵞茉吹男枨蟪掷m(xù)增長(zhǎng),太陽(yáng)能,風(fēng)能,水能等可再生能源的開發(fā)和利用將迎來(lái)更加廣闊的發(fā)展空間.RIVERELETEC的晶體產(chǎn)品將在這些可再生能源設(shè)備中發(fā)揮更加關(guān)鍵的作用,不斷提高能源轉(zhuǎn)換效率,降低能源成本,為實(shí)現(xiàn)全球能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)做出更大的貢獻(xiàn).同時(shí),RIVERELETEC還將繼續(xù)加大在研發(fā)方面的投入,不斷探索晶體產(chǎn)品在新領(lǐng)域的應(yīng)用可能性,如量子通信,生物醫(yī)療等前沿領(lǐng)域.通過與更多的科研機(jī)構(gòu),企業(yè)開展深度合作,RIVERELETEC將不斷拓展晶體產(chǎn)品的應(yīng)用邊界,為解決更多的環(huán)境問題和社會(huì)發(fā)展難題提供創(chuàng)新的解決方案.環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展是一場(chǎng)沒有終點(diǎn)的征程,需要我們每一個(gè)人的共同努力.RIVERELETEC作為晶體產(chǎn)品領(lǐng)域的佼佼者,將繼續(xù)肩負(fù)起環(huán)保責(zé)任,持續(xù)引領(lǐng)環(huán)保潮流,為構(gòu)建一個(gè)更加美好的環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展社會(huì)而不懈奮斗.我們也期待更多的企業(yè)和個(gè)人能夠關(guān)注和支持環(huán)保事業(yè),共同為我們的地球家園創(chuàng)造一個(gè)更加綠色,美好的未來(lái).
RIVERELETEC晶體產(chǎn)品點(diǎn)亮環(huán)?？沙掷m(xù)發(fā)展之路
| SG-8018CG 32.5140M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.514 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.7000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.7 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 133.302860M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 133.30286 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.296750M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.29675 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 45.4545M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 45.4545 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 31.3500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 31.35 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.2727M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.2727 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 12.8800M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 12.88 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 132.8130M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 132.813 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.096250M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.09625 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 97.2000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 97.2 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.7990M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 799 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.1060M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.106 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 23.0140M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 23.014 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 16.3840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 16.384 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.1100M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.11 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 18.0224M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 18.0224 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 16.3860M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 16.386 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 53.0000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 53 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 56.6500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 56.65 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 13.553750M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 13.55375 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 45.0000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 45 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0100M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.01 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 93.7500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 93.75 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.2840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.284 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 139.2460M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 139.246 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0500M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.05 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.4444M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.4444 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.8300M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.83 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.7500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.75 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 135.2650M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 135.265 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 27.000625M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 27.000625 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 138.7000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 138.7 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.2500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 137.5000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 137.5 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.9000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 900 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 56.4480M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 56.448 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 26.9900M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 26.99 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 120.9600M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 120.96 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 14.089190M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 14.08919 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.507936M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.507936 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 100.0400M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 100.04 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 19.6870M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 19.687 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 44.5450M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 44.545 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.9150M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.915 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 4.3000M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 4.3 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 32.5140M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 32.514 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 55.5555M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 55.5555 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.0080M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.008 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 23.8040M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 23.804 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 121.0000M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 121 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 27.0016M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 27.0016 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 148.2200M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 148.22 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 99.9300M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 99.93 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 14.0500M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 14.05 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 98.7650M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 98.765 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 46.495960M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 46.49596 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 50.0025M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 50.0025 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 64.5160M-TJHSA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 64.516 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
| SG-8018CG 0.7840M-TJHPA0 | EPSON | SG-8018 | XO | 784 kHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V | ±50ppm |
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